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IRF8313TRPBF中文资料

IRF8313TRPBF图片

IRF8313TRPBF外观图

  • 大小：259.04KB
  • 厂家：IRF
  • 描述：HEXFET Power MOSFET
  • 标准包装：4,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：9.7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：15.5 毫欧 @ 9.7A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.35V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：9nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：760pF @ 15V
  • 功率 - 最大：2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SO
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IRF8313TRPBFTR

IRF8313TRPBF供应商

更新时间:2023-01-07 11:35:20
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